导电沟道缩短过程中，电子的输运特性会发生变化，这是电子的运动性质决定的。而这个过程中对电流的调控越来越难，要么开态太小，要么关态太大，除此外还经历过栅介质漏电等问题。
如果用单根的碳纳米管作为栅，栅的宽度就是碳纳米管宽度，但问题在于他的导电沟道没有缩短，现有的场效应晶体管栅完全覆盖沟道的比较多（调控作用强），让我们误认为栅的尺度就可以代表晶体管的特征尺度，那篇文章在这上面取了个巧，所以那个晶体管不一定就只有1nm。
而且，本次外媒报道的劳伦斯伯克利国家实验室将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm，其晶体管就是由碳纳米管掺杂二硫化钼制作而成。不过这一技术成果仅仅处于实验室技术突破的阶段，目前还没有商业化量产的能力。至于该项技术将来是否会成为主流商用技术，还有待时间检验。
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