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7nm处理器是半导体工艺的极限吗?(5)

http://www.it09.cn 时间:2016-10-25 09:41来源:未知

  缩短晶体管栅极的长度可以使CPU集成更多的晶体管或者有效减少晶体管的面积和功耗,并削减CPU的硅片成本。正是因此,CPU生产厂商不遗余力地减小晶体管栅极宽度,以提高在单位面积上所集成的晶体管数量。不过这种做法也会使电子移动的距离缩短,容易导致晶体管内部电子自发通过晶体管通道的硅底板进行的从负极流向正极的运动,也就是漏电。而且随着芯片中晶体管数量增加,原本仅数个原子层厚的二氧化硅绝缘层会变得更薄进而导致泄漏更多电子,随后泄漏的电流又增加了芯片额外的功耗。

  为了解决漏电问题,Intel、IBM等公司可谓八仙过海,各显神通。比如Intel在其制造工艺中融合了高介电薄膜和金属门集成电路以解决漏电问题;IBM开发出SOI技术——在在源极和漏极埋下一层强电介质膜来解决漏电问题;此外,还有鳍式场效电晶体技术——借由增加绝缘层的表面积来增加电容值,降低漏电流以达到防止发生电子跃迁的目的。。.。。.

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